从“价格绞杀”到“全面涨价”，碳化硅国产龙头完成全球卡位

　　6月9日，碳化硅板块在A股市场掀起热潮。晶升股份放量涨停，天岳先进、晶盛机电、士兰微等个股集体走高。若把时间维度拉长，近三个月来，碳化硅概念已成为科技赛道中涨幅最为亮眼的板块之一。

　　进入2026年，英飞凌年内二度涨价率先打响涨价第一枪，意法半导体等国际巨头密集跟进，国产衬底与器件厂商纷纷调价，全行业开启“全面涨价”模式。从“卷价格”到“抢产能”，碳化硅叙事逻辑已被彻底改写。

　　一位功率半导体上市公司人士认为，下游需求旺盛，目前产能已经跟不上客户需求，交货周期显著拉长，已经出现光储客户主动加价拿货的现象。产业研究机构InSemi Research高级分析师洪源证实，当前碳化硅衬底片头部厂商如天岳先进、天科合达的产能利用率均已超过90%。

　　行情启动的直接信号，来自AI算力基础设施爆发的巨大电力需求。数据中心机柜功耗从传统服务器的10至15千瓦，飙升至2029—2030年Feynman平台时代的逾1.5兆瓦，碳化硅凭借耐高压、低损耗、耐高温的物理特性，成为破解电力瓶颈的核心材料。仅用了半年时间，AI相关需求就彻底改变了碳化硅行业的供需格局。

　　需求双引擎：AI算力接棒新能源，打开千亿级增量空间

　　碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料，凭借耐高压、高热导率、高工作温度等优势，已成为功率半导体领域不可替代的关键材料。

　　长期以来，新能源汽车是SiC产业的第一增长极。800V高压平台车型加速放量，SiC在新能源汽车中的渗透率持续提升。据预测，到2026年，碳化硅在新能源汽车中的渗透率将达40%。在400V电压平台上，用碳化硅功率器件替代硅基IGBT，可提升工况效率1%-1.5%，对应续航里程提升2%-3%；而在800V高压平台上，效率提升更为显著，可使整车工况效率提升3%-4%，续航里程提升5%-8%。在成本端，单车可节省400至800美元的电池成本。

　　2026年格局发生了深刻变化。AI数据中心的爆发式增长，正在为碳化硅产业开辟全新的增量赛道，成为与新能源汽车并驾齐驱的第二增长极。华西证券研究明确指出，SiC在AI相关领域的需求增长空间巨大，AI相关需求“远超车规等传统市场”，SiC有望成为AI新主线。

　　据Citrini预测，到2030年，AI电源将占据碳化硅电源市场的50%，以此估算，电源市场对碳化硅衬底、设备的需求就有望增长近10倍。放眼更远的未来，行业人士判断，碳化硅衬底市场有望从当前百亿级规模向2000亿至3000亿量级突破。

　　更值得关注的是，碳化硅的应用场景正在向先进封装散热领域延伸。台积电CoWoS产能2026年将达100万片每月，若30%采用碳化硅中介层方案，潜在空间就将超过10亿美元，为行业开辟出一条全新的成长路径。

　　全球产能格局重塑，国产供应链强势突围

　　需求端的井喷，正与供给端的剧烈重构形成共振。全球碳化硅产业正迎来历史性拐点。

　　2025年，碳化硅市场经历了一轮惨烈的产能出清。大量低端6英寸产能加速淘汰，行业从“产能过剩”转向“微妙弱平衡”状态。供需格局的逆转之下，价格信号最先确认。6英寸碳化硅衬底价格出现较大幅度反弹，8英寸价格止跌企稳并小幅上涨；下游衬底厂商已收到新增订单需求，部分厂商已启动涨价程序。设备端订单同步暴增，晶升股份、新益昌、联动科技等核心设备厂家的碳化硅在手订单量均已达到去年同期的两倍以上。

　　海外巨头的变化更具标志性意义。曾因激进扩产陷入巨额亏损的美国龙头Wolfspeed，其全球第一出货量地位已发生动摇。公司提前关闭6英寸产线，将产能重心全面转向8英寸工厂——尽管这一“断臂”举动导致短期财报承压，但被视为换取长期成本竞争力的必要阵痛。

　　英飞凌则明确将2026财年AI相关销售额目标设定为15亿欧元，并计划在2027年提升至25亿欧元。意法半导体在意大利卡塔尼亚的集成碳化硅衬底制造设施计划于2026年投产，同时与三安光电在重庆合资建设的8英寸项目也进入量产冲刺期。

　　而在这场全球格局重塑中，中国力量的崛起尤为瞩目。国产化率正在快速提升，尤其是在衬底环节，表现尤为突出。比如，天岳先进已超越Wolfspeed成为全球衬底出货量第一，8英寸产品良率高达70%左右，全球市场份额接近一半，客户覆盖博世、特斯拉、英飞凌等全球一线客户。该公司8英寸碳化硅衬底的全球市场占有率已达51.3%。天科合达稳居国内第二，客户侧重华为、比亚迪等国内头部企业。

　　综合来看，国内厂商在全球SiC产业链中的主导地位正快速确立，继人形机器人国产供应链之后，碳化硅正成为“中国智造”向下一个高端赛道发起冲击的又一范例。

　　市场正在为SiC重新定价

　　板块的高景气已充分映射在资金动向上。6月9日，碳化硅概念当日上涨7.16%，第三代半导体概念上涨6.11%，板块效应显著。近期晶升股份5月底的股东询价转让获得机构3.11倍超额认购，折射出产业资本对碳化硅赛道的高度认可。科创新材料ETF博时（588010）近10个交易日内合计“吸金”2048.32万元，资金持续流入趋势明确。

　　机构层面同样形成高度共识。华西证券认为，随着AI发展，今年碳化硅已呈现反转态势，市场有望对SiC行业重新定价，碳化硅衬底与设备公司有望重点受益。长江证券判断，碳化硅产业迎来“需求扩容+供给重构”历史性拐点，具备技术壁垒、垂直整合能力与客户深度绑定的龙头企业，将充分攫取“算力β+国产α”双重红利，推动碳化硅从材料供应商跃升为算力基础设施核心赋能者。摩根士丹利于5月28日增持天岳先进94.27万股H股，价值约1.17亿港元，好仓比例升至6.40%，外资机构对国内碳化硅龙头的看好态度可见一斑。

　　从产业链价值分布来看，上游衬底和外延环节占据全产业链约70%的价值量，是竞争的核心焦点。8英寸及以上大尺寸产品占比高的企业，由于技术壁垒更高、客户黏性更强，将具备更强的定价权和持续盈利能力。

　　在器件端，具备车规级认证和主流客户绑定的IDM厂商同样是资金布局的重点方向。士兰微车规级SiC MOSFET模块累计出货已超10万颗，6英寸产线月产能达1万片，8英寸产线已通线。芯联集成SiC MOSFET芯片及模组全面覆盖650至3300V工艺平台，产品关键指标处于国内领先水平，2025年实现约50%的同比增长，跻身全球器件供应商前五。

　　结构性机遇聚焦技术与产能龙头

　　综合来看，碳化硅正从“新能源汽车的配角”蜕变为“AI算力基础设施的核心材料”。当前行业的反转行情并非简单的周期性回暖，而是由AI需求爆发、新能源渗透率提升、国产替代加速三重因素叠加驱动的结构性长逻辑。

　　具体投资方向上，有两个维度值得关注。一是具备大尺寸衬底量产能力和高良率的衬底龙头。天岳先进在天科合达在8英寸及6英寸领域分别占据技术与产能优势，作为全球供应链格局重塑的主导力量，将充分受益于下游需求的持续放量；二是具备垂直整合能力（衬底+外延+器件）的IDM厂商。

　　三安光电与意法半导体的8英寸合资项目已进入风险量产阶段，士兰微凭借“6英寸SiC+12英寸硅”的混合制造模式有效摊薄成本，其SiC产线预计在2026年实现满产。此外，设备端的晶升股份等核心供应商，直接受益于全行业扩产浪潮，在手订单已明确反映景气趋势。

　　但风险同样不容忽视。技术上，行业正处于8英寸大规模量产爬坡的关键时期，良率提升和成本控制将是决定企业盈利能力的核心变量。全球产能释放节奏若超出预期，可能导致价格再度承压。地缘政治方面，SiC产业链涉及高端设备和原材料进口，中国厂商虽然在衬底环节已实现全球领先，但在关键设备和特种材料上仍存在一定外部依赖。此外，碳化硅当前的价格水平较硅基IGBT仍高出3-5倍，成本进一步下降的速度将决定其在更多中低端应用领域渗透的节奏和广度。