3nm良品率告急？三星回应：毫无依据！

近日有传闻称，三星代工事业部在半导体晶圆生产过程中出现了生产缺陷：在第二代3nm工艺中，2,500批次的缺陷已导致了1万亿韩元（约合7,410万美元）的损失，而单个批次就相当于每月生产约6.5万片12英寸晶圆，而这些晶圆必须全部废弃。

媒体报道称，三星电子晶圆代工制造厂发生了影响质量的缺陷，进而使良率受到极大影响，受损规模约50万片晶圆，此规模在该公司内部事故评级中属“D级事故“，但非重大事故。

不久后，三星电子否认了这一有关“生产缺陷“的报道，并称其“毫无根据”，因该芯片的月产能为6万片，加上生产过程中的多道检验关卡，故不太可能出现如此大规模的缺陷。

在芯片制造领域，三星是全球最大的半导体芯片制造商、合约制造领域的第二大企业。

但最近，分析师郭明錤（Ming-Chi Kuo）发布推文称，三星3nm芯片Exynos 2500的制程良率因低于预期而无法出货，因此，高通将作为三星Galaxy S25系列双源应用处理器（SoC）的独家供应商，采用台积电生产的N3E制程的第四代骁龙8芯片，芯片价格也将提升25%-30%。

目前，三星Exynos 2500芯片良率尚不足20%，而大规模生产通常要求良率在60%以上，因此，三星LSI部门计划在下半年实现Exynos 2500芯片良率达标。

另还有报道称，三星因其Exynos 2500自研芯片量产无望，考虑为Galaxy S25系列配备联发科的Dimensity芯片，以改善与高通的谈判地位。

不过，距离三星Galaxy S25发布还剩6个月左右，该系列的订单究竟将”花落谁家“，最终结果尚待观察。

前段日子，韩媒报道称三星因3nm工艺的量产良率和能效问题，导致谷歌、高通两大客户将订单转交给了台积电。

回顾过去，三星的3nm之路其实早已开启。2017年，三星就已宣布开启3nm工艺制程的研发工作；2021年，宣布3nm节点成功流片；2022年，宣布3nm GAA制程进入量产阶段。相较于台积电，三星一直保持着近半年的领先优势。

据粗略统计，三星在其整个3nm项目中已投资了约1,160亿美元，这还不包括后续用于亚利桑那州和得克萨斯州两座3nm工厂的建设费用。不过，该公司的第一代3nm工艺似乎从未达到预期，且在良率和功耗控制方面仍比台积电逊色10%-20%。

相较之下，台积电则凭借其在3nm工艺上的技术优势，吸引了英伟达、AMD、英特尔、苹果、高通、联发科和谷歌等科技巨头的大批量订单，客户订单已排至2026年。该公司表示，今年3nm的产能已较去年增加了两倍多，但仍远不及客户需求，目标在今年增至去年的四倍。

据业内人士分析，各大厂商争相选择台积电的主要原因在于两家公司在尖端工艺上提供的芯片功率效率不同。尽管台积电将3nm芯片的生产成本提高了25%，但与5nm的工艺相比，客户更看重性能上的显著差异。

另一方面，台积电和三星代工业务的市场份额差距也在扩大。市场研究机构TrendForce的数据显示，三星电子的代工市场份额从去年四季度的11.3%微降至今年一季度的11%，而台积电同期的市场份额却从61.2%上升至61.7%。

尽管如此，在今年3月举行的年度股东大会上，三星表示将在两到三年内，重新夺回全球芯片市场第一的位置。

另外，三星还公布了其芯片技术路线图，包括基于AI设计的GAA（切入环绕式栅极）处理器，并在即将推出的2nm制程中采用GAA技术。

具体看来，第二代3nm GGA计划于今年下半年开启量产；2025年，推出开始量产用于移动领域的2nm制程芯片；2026年，把2nm制程芯片量产领域扩大到超级计算机和HPC芯片；2027年扩大到汽车芯片。此外，1.4nm制程芯片也有望于2027年实现量产。