科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数飙升超4.7%

  今日开盘，存储芯片板块暴力上涨，科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数飙涨4.71%，实时换手率达到11.77%，芯片ETF天弘(159310)标的指数涨4.59%。

  科创芯片设计ETF天弘(589070)紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，高度聚焦于芯片设计这一高附加值环节，其前五大权重股均为细分领域核心龙头：澜起科技（内存接口芯片龙头）、海光信息（国产CPU/DCU领军者）、芯原股份（芯片设计平台即服务龙头）、佰维存储（存储芯片设计厂商）、寒武纪（AI芯片先行者）。

  芯片ETF天弘(159310)跟踪覆盖更广的中证芯片产业指数，一键布局芯片设计、制造、封测、设备、材料等全产业链，前十大权重股囊括了中芯国际、北方华创、兆易创新、中微公司、等。 该ETF的场外联接基金(A类：012552，C类：012553)。

  全球芯片股共振上涨，产业“超级周期”逻辑强化：

  ①板块强势表现源于全球市场的多重利好共振。上周五美股方面，英特尔大涨13.96%，美光科技暴涨15.49%，闪迪、西部数据亦创下历史新高。今日亚太市场同步响应，韩国综合指数开盘大涨超5%触发熔断，三星电子、SK海力士等芯片巨头股价均创历史新高。

  ②上涨的核心驱动力在于产业基本面的强劲支撑。一方面，AI算力需求持续爆发，驱动存储芯片进入“超级周期”。据TrendForce数据，2026年第二季度通用型DRAM合约价预计环比上涨58%至63%，NAND闪存合约价涨幅高达70%至75%。另一方面，AMD一季度业绩与二季度指引均超预期，凸显数据中心芯片需求旺盛。