长鑫存储第五代技术平台正式量产 实现微缩工艺新突破
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时代周报 
本文来源：时代周报
9月20日，长鑫存储在世界制造业大会上正式宣布第五代DRAM技术平台（简称“G5平台”）实现量产，同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。该平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破。
在关键工艺方面，G5平台依托四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达45:1。开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米。
G5微缩工艺的突破推动存储密度实现大幅提升：每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。
本次大会同步展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。
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