半导体设备行业2025：北方华创、中微收入、利润占行业一半，头部企业研发投入资本化问题凸显

A股半导体设备企业的2025年财报已经全部出炉。行业整体发展态势持续向好，收入同比增长27.54%，归母净利润同比增长15.99%。同时，头部效应明显，北方华创和中微公司两家企业占据了行业一半的收入和利润。

但值得注意的是，在行业蓬勃发展的同时，部分问题也开始显现。行业头部企业主要面临的是研发投入资本化问题，收入排名前五的半导体设备企业，有4家研发投入资本化占比在20%以上，其中北方华创和中微公司研发投入资本化比例为34.50%和27.92%。而其他规模较小的半导体设备企业，由于研发费用绝对值相对较小，反倒基本没有对研发投入进行资本化处理。

但中小半导体设备公司也有自己的问题，即人才储备问题。行业头部企业，如北方华创、中微公司、盛美上海、拓荆科技、屹唐股份研发人员中，硕士+博士占比，普遍在50%以上。但中小半导体设备公司，研发人员中硕士、博士占比普遍不高，比如华亚智能，2025年末233名研发人员中，只有1位硕士

板块收入增长28%，一半收入和利润集中在北方华创和中微公司

2025年，A股25家半导体设备企业共实现营收1036.03亿元，上年同期为812.30亿元，同比增长27.54%；实现归母净利润153.58亿元，上年同期为132.41亿元，同比增长15.99%。

从收入分布上来看，行业头部效应明显。北方华创和中微公司是去年唯二收入超100亿元的半导体设备企业，收入分别为393.53亿元、123.85亿元，合计为517.38亿元，约占整个板块收入的一半。

利润分布同样如此，去年北方华创和中微公司归母净利润分别为55.22亿元、21.11亿元，合计为76.33亿元，同样约占整个板块利润的一半。

从增速上来看，2025年收入增长最快的企业是金海通，去年营收为6.98亿元，同比增长71.68%；归母净利润增长最快的企业是在北交所上市的中科仪，去年归母净利润为8.44亿元，同比增长337.77%

盈利质量：北方华创和中微公司研发投入资本化金额分别为25亿元和10亿元

在行业规模和利润持续增长的情况下，A股半导体设备板块企业的盈利质量如何呢？ 一个不能忽视的点是，收入排名前五的半导体设备企业的研发投入资本化问题。

2025年半导体设备板块共有7家公司对研发投入进行了资本化，占半导体设备企业总数28%，分别是北方华创、中微公司、盛美上海、长川科技、华海清科、拓荆科技、至纯科技。

其中，半导体设备板块2025年收入前五的公司—北方华创、中微公司、长川科技、盛美上海、拓荆科技资本化研发支出占研发投入的比例均在10%以上，而除了拓荆科技，其余4家研发投入资本化比例在20%以上。

特别是北方华创和中微公司，研发投入中资本化金额分别为25.11亿元和10.45亿元，资本化比例为34.50%和27.92%。如果不对研发投入进行资本化处理，那么北方华创2025年归母净利润将从55.22亿元下降至30亿元左右；中微公司归母净利润将从21.11亿元下降至10亿元左右。

头部半导体设备企业研发人员中硕博占比普遍超50%，年薪普遍在40万以上

作为一个技术密集型行业，高素质的研发人员是半导体设备企业高质量增长的核心驱动引擎之一。目前，头部半导体设备企业研发人员硕博化趋势明显，硕士+博士占研发人员的比例普遍超过50%；而且这些头部半导体设备企业能够为研发人员提供较好的薪酬待遇，年薪普遍在40万元以上。

举例来看，2025年，半导体设备板块收入排名前五的公司是北方华创、中微公司、长川科技、盛美上海、拓荆科技。这5家公司研发人员中，硕士+博士占比分别为67.66%、57.88%、29.87%、51.87%、67.49%，除了长川科技，硕士+博士占比均在50%以上。

而且，这些公司都能为研发人员提供良好的待遇，比如中微公司研发人员2025年人均薪酬为71.02万元、盛美上海为41.29万元、拓荆科技为44.08万元。值得一提的是，屹唐股份研发人员2025年人均薪酬为97.15万元，是所有半导体设备企业中最高的一家。

但需要注意的是，研发人员硕士、博士占比高的现象仅在行业头部企业中较为明显。像华亚智能、耐科装备、联动科技等半导体设备企业，其研发人员中，硕士+博士占比低至个位数，比如华亚智能2025年末233名研发人员中，只有1位硕士，博士数量为0。

技术趋势：中微公司3纳米刻蚀机完成原型机设计，拓荆科技量产健合设备

在半导体代工领域，目前有两大技术趋势，一个是在以CPU、GPU为代表的逻辑芯片领域，制造工艺持续向2纳米及以下节点演进，芯片线宽尺寸缩小至原子级，芯片制造精度要求达到前所未有的严苛程度。

此外，伴随着芯片制程持续接近物理极限，仅依赖平面工艺微缩已无法实现芯片性能的持续提升迭代，技术路径逐步转向三维架构设计及芯片堆叠方式。其中，在存储芯片领域，主流3D NAND产品堆叠层数已迈向200层以上，并向300层乃至更高层数演进。

以下为国内主流半导体设备厂商在这两大方向上的进展。

方向一：更先进、更小制程的半导体设备

目前，仅有部分半导体设备企业公布了具体工艺方面的进展，以下为其代表性设备。

中微公司用于5-3 纳米逻辑芯片制造的ICP刻蚀机：成功研制适用于5纳米逻辑芯片制造用的的ICP刻蚀工艺的刻蚀设备，并完成在先进逻辑芯片生产厂家的评估，实现销售。完成3纳米刻蚀机Alpha原型机的设计、制造、测 试及初步的工艺开发和评估。

盛美上海兆声波单片清洗设备：SAPS技术目前已应用于逻辑28nm技术节点及DRAM 10nm技术节点，并可拓展至逻辑芯片28nm、DRAM 19nm技术节点、32/64层3DNAND工艺、高深宽比的 功率器件及TSV深孔清洗应用，在DRAM上有70多步 应用。

方向二：适用于三维架构的半导体设备

北方华创：3D NAND及DRAM先进工艺设备、HBM与混合键合等先进封装设备等预计2-3年后会逐步形成订单并实现销售收入。

中微公司：CCP刻蚀机方面，公司用于关键刻蚀工艺的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长，60比1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内标配设备，量产指标稳步提升，下一代超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场；ICP刻蚀机方 面，适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展。加工的精度和重复性已达到单原子水平。

拓荆科技：目前拓荆科技已经开发出多种健合设备，比如公司的Pleione300，主要应用于高带宽存储器（HBM）、芯片三维集成领域，可实现芯片的顺序拾取并精准键合到晶圆上。