半导体ETF(512480)翻红向上冲击4连涨，科创芯片设计ETF(588780)近20日净流入超2亿元

截至2026年2月25日 10:42，科创芯片设计ETF(588780)盘中换手7.71%，成交6966.30万元。成分股方面涨跌互现，力芯微领涨2.97%，中微半导上涨2.58%，臻镭科技上涨2.42%

截至2026年2月25日 10:44，半导体ETF(512480)上涨0.24%， 冲击4连涨。盘中换手3.12%，成交6.97亿元。成分股富创精密上涨11.17%，中巨芯上涨7.98%，拓荆科技上涨7.84%，江丰电子上涨7.06%，中船特气上涨5.75%。

值得一提的是，Wind数据显示，截至2月24日，科创芯片设计ETF(588780)近20个交易日净流入达2.1亿元，半导体ETF(512480)近20个交易日净流入近12亿元。

科创芯片设计ETF(588780)是跟踪科创芯片指数的同类产品中，成立时间最早、规模最大的产品，持续关注上涨势头。

半导体ETF（512480）备受市场关注，是目前唯一跟踪中证全指半导体指数的ETF，一键布局中国半导体行业红利。场外联接(A类：007300；C类：007301)。

消息面上，2月24日，AMD和Meta宣布达成一项6吉瓦（GW）的协议，为Meta的下一代AI基础设施提供动力，该基础设施将应用多代AMD Instinct GPU。AMD首席执行官苏姿丰透露，这一系列交易的价值“每吉瓦达百亿美元级别”。这意味着，协议的总金额将超过600亿美元，有可能达到上千亿美元。受此影响，隔夜美股AMD大涨超8%。

国内方面，北大团队实现芯片领域重要突破。2月24日消息，北京大学宣布，该校团队迎来芯片领域重大突破，成功制备出迄今尺寸最小、功耗最低的铁电晶体管。相关研究成果发表于《科学·进展》，团队负责人解释，有着超低工作电压与极低能耗特性的纳米栅铁电晶体管，不仅能为构建高能效数据中心提供核心器件方案，也为发展下一代高算力人工智能芯片奠定关键技术基础。

近期，AI算力需求持续爆发正加速挤压半导体产业链传统产能，形成“资源虹吸”效应。国金证券指出，AI高回报率吸引资本集中投入，导致存储、电子布、PCB、铜箔、封装等环节的设备、产线及人力被大量抽调，普通电子布7628型号自2025年2月起已连续13个月提价，累计涨幅达30%；HBM对晶圆产能的消耗是普通DRAM的数倍级，进一步加剧前道制造环节的结构性紧缺。当前行业已从被动缺产进入全产业链主动备货阶段，价格传导顺畅，电子材料领域呈现“又急又快”的系统性通胀特征。

科创芯片设计ETF(588780)紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。

科创芯片设计ETF(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比高达96.1%，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，成长空间可期。

半导体ETF(512480)紧密跟踪中证全指半导体产品与设备指数，中证全指半导体产品与设备指数从中证全指指数样本中选取业务涉及半导体产品和半导体设备等领域的上市公司证券作为指数样本，以反映半导体产品与设备上市公司证券的整体表现。

风险提示：以上所有信息仅作为参考，不构成投资建议，一切投资操作信息不能作为投资依据。投资有风险，入市需谨慎。

注：“成立最早、规模最大”指截至2026.2.24，科创芯片设计ETF为全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF中，成立时间最早、规模最大的产品。

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