三星与英伟达加速研发下一代NAND闪存！科创芯片设计ETF天弘(589070)上周五净流入近3000万元同标的第一

截至2026年3月13日收盘，科创芯片设计ETF天弘(589070)换手10.58%，成交6314.34万元，市场交投活跃。跟踪的上证科创板芯片设计主题指数(950162)下跌1.90%。成分股方面涨跌互现，佰维存储领涨3.38%，新相微上涨1.98%，晶晨股份上涨1.69%。

截至3月13日，科创芯片设计ETF天弘(589070)最新规模、最新份额均创近1月新高。

从资金净流入方面来看，科创芯片设计ETF天弘(589070)最新单日净流入2940万元，位居同标的第一，近3天获得连续资金净流入，合计“吸金”5564.87万元。

【产品亮点】

科创芯片设计ETF天弘(589070)紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。

【热点事件】

三星电子联手英伟达，加快研发下一代NAND闪存芯片

据业内消息，三星电子正与英伟达合作，加快下一代NAND闪存芯片的研发。

三星半导体研究院、英伟达和佐治亚理工学院的联合研究团队开发了一种“物理信息神经网络算子”模型，其分析铁电基NAND闪存器件性能的速度比现有模型快1万倍以上，并公布了研究结果。基于研究成果，三星正与英伟达合作开发和商业化铁电NAND闪存。

【机构观点】

华源证券发布研报称，国内AI大模型进入加速发展期，或将带来国产算力市场空间增长与渗透率增长，国家层面系统性的战略引导和政策支持为AI发展提供了坚实保障，持续看好国产算力板块的高景气度。建议关注国产芯片。

【更多产品】

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