科创50增强ETF鹏华(588460)涨超1.7%，存储芯片概念反复活跃

半导体强势拉升，存储芯片概念反复活跃，消息面上，Wedbush分析师在周一发布的报告中表示，DRAM与NAND存储价格正快速上涨，预计2025年第四季度基础上，2026年上半年价格涨幅将达到“三位数”水平。其中，DRAM价格涨幅有望达到130%至150%，NAND涨幅也接近这一水平。

国盛证券指出，AI服务器对12英寸硅片的需求量是通用型服务器的3.8倍，HBM对12英寸硅片的需求量亦达主流DRAM产品的3倍；NAND Flash堆叠层数提升至400层后，厂商转向晶圆键合工艺，进一步推动12英寸硅片用量翻倍。SUMCO、信越化学等海外大厂均确认AI相关硅片出货量将大幅增长，行业复苏趋势明确。

截至2026年3月25日 10:54，上证科创板50成份指数(000688)强势上涨2.02%，成分股佰维存储上涨8.90%，天岳先进上涨6.92%，惠泰医疗上涨5.27%，盛科通信，中微公司等个股跟涨。科创50增强ETF鹏华(588460)上涨1.73%，最新价报1.58元。

科创50增强ETF鹏华紧密跟踪上证科创板50成份指数，上证科创板50成份指数由上海证券交易所科创板中市值大、流动性好的50只证券组成，反映最具市场代表性的一批科创企业的整体表现。

数据显示，截至2026年2月27日，上证科创板50成份指数(000688)前十大权重股分别为海光信息、中芯国际、寒武纪、澜起科技、中微公司、芯原股份、金山办公、联影医疗、拓荆科技、佰维存储，前十大权重股合计占比55.45%。

科创50增强ETF鹏华(588460)，场外联接(A：021908；C：021909；I：022969)。

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