科创芯片设计ETF鹏华(589170)涨超8.2%，全球存储芯片转入卖方市场

消息面上，SK海力士在5月投资者会议上释放的判断具有标志性意义：全球存储芯片行业已全面转入卖方市场，DRAM与NAND库存仅维持约4周，处于历史低位，"所有客户的需求均无法被完全满足"。美光CEO桑杰·梅赫罗特拉同期表示，存储芯片供应短缺"才刚刚开始"，新建晶圆厂建设周期长，本轮供需紧张格局2028年前难以缓解。

机构指出，全球三大存储厂商（三星、SK海力士、美光）将大量产能优先供应HBM及企业级SSD，直接挤压传统消费类DRAM和NAND产能，导致现货市场供应急剧短缺。DRAM库存周期从2023年的31周大幅压缩至2025年10月的8周。SSD出口同比+715%、DRAM同比+343%、Flash Memory同比+289%，三位数增长趋势延续，量数据确认价格端信号。当前周期共识已从"是否上行"切换至"上行持续多久"。

截至2026年5月6日 10:55，上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨8.41%，成分股海光信息上涨20.00%，澜起科技上涨16.83%，佰维存储上涨16.23%，普冉股份，龙芯中科等个股跟涨。科创芯片设计ETF鹏华(589170)上涨8.24%， 冲击3连涨。最新价报1.21元。

科创芯片设计ETF鹏华紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。

数据显示，截至2026年4月30日，上证科创板芯片设计主题指数(950162)前十大权重股分别为澜起科技、海光信息、寒武纪、芯原股份、佰维存储、睿创微纳、东芯股份、盛科通信、晶晨股份、龙芯中科，前十大权重股合计占比62.87%。

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