我国攻克硅基量子芯片关键材料，存储芯片迎来材料迭代拐点!南亚新材涨超13%，科创新材料ETF汇添富(589180)涨超6%，连续3日"吸金"5300万元

今日，A股硬科技表现强势，PCB概念再度爆发！科创新材料ETF汇添富(589180)涨超6%，全天成交额超5400万元！资金连续3日涌入，累计“吸金”5300万元！

科创新材料ETF汇添富(589180)标的指数前十大权重股多数飘红：嘉元科技涨超15%，南亚新材涨超13%，天岳先进涨超9%，沪硅产业、中船特气涨超5%，安集科技涨超3%。

注：成分股仅做展示，不作为个股推介。

消息面上，中国“纯硅”成功突破，我国攻克硅基量子芯片关键材料。据中核集团消息，我国科学家在稳定同位素富集领域取得关键性突破，首次成功实现丰度超过99.99%的硅-28同位素自主量产，产品关键指标达国际先进水平。标志着我国在构建自主可控、协同高效的稳定同位素产业格局方面迈出实质性步伐。

据介绍，除量子计算外，超高丰度硅-28在先进制程半导体、高端导航、计量基准等前沿领域也有重要应用前景。完成此项突破的中核集团核工业理化工程研究院团队，此前已先后实现钼、碲、镍等12种元素、26种稳定同位素的生产，持续推动稳定同位素分离技术的工程化与产业化。

存储芯片行业迎来材料迭代拐点，钨退钼进成为高层数3D NAND产业明确趋势。随着3D NAND向375层、400层以上架构升级，传统钨制字线在纳米微缩制程中出现电阻飙升、需额外阻挡层挤占堆叠空间、高深孔填充良率偏低等物理瓶颈，难以匹配AI大容量存储高速读写需求。钼凭借更低电阻率、可省略阻挡层、适配ALD工艺等优势，成为替代钨的核心材料；SK海力士375层NAND将全面采用钼字线并将于年内量产，三星早已落地钼工艺，美光、铠侠及国内存储厂均推进验证，泛林半导体确认钼替代是高层堆叠唯一可行路线。

中银证券指出，钼材料导入高层数3D NAND，半导体应用打开需求增量空间。钼材料在高层数3D NAND中的应用加速推进，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨材料制作字线；继三星在286层第九代3D NAND中导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势进一步确立。短期看，半导体用钼绝对量仍较小，对钼总需求拉动有限，但其高纯度、高技术壁垒和高附加值特征有望提升钼材料结构性价值，利好钼靶材、钼薄膜材料及精深加工企业。中长期看，随着3D NAND层数持续提升，钨字线在极细线宽下电阻上升及阻挡层占用空间问题更加突出，钼凭借低电阻、无需阻挡层等优势有望加速渗透。若三星、SK海力士后续持续扩大钼工艺应用范围，半导体钼材料需求有望从验证导入进入规模放量阶段，推动钼从传统工业金属向高端制造和半导体材料方向重估。

国盛证券指出，AI需求拉动CCL材料体系从M7/M8向M9升级，三大主材铜箔、电子布、树脂也伴随迭代。（1）铜箔：HVLP铜箔向四代、五代跃迁，日本三井金属是全球HVLP铜箔龙头，在HVLP4以上市占率高达50%，国产厂商有望迎来替代窗口；（2）电子布：AI算力与先进封装的需求旺盛，带动低介电电子布（一代、二代）、Low-CTE电子布、石英布等高性能产品进入供不应求的紧缺周期，需求端快速增长；（3）树脂：树脂体系从环氧树脂向PPO、碳氢树脂升级，国产厂商迎崭新机遇。

硬科技腾飞，新材料先行！“硬科技基石”科创新材料ETF汇添富（589180）与新质生产力和国产替代主线高度契合！标的指数更均衡布局电子化学品、半导体材料、电池化学品等细分领域龙头，业绩预期领先同类，估值性价比凸显！

注：申万三级行业分类，截至2026/5/31

基金有风险，投资需谨慎。基金的过往业绩不预示未来表现，基金管理人管理的其他基金业绩并不构成基金业绩表现的保证。基金管理人依照恪尽职守、诚实信用、谨慎勤勉的原则管理和运用基金财产，但不保证投资于本基金一定盈利，也不保证最低收益。投资人应当仔细阅读《基金合同》、《招募说明书》等法律文件以详细了解产品信息。本基金属于中高风险等级（R4）产品，适合经客户风险承受等级测评后结果为进取型（C4）及以上的投资者，客户-产品风险等级匹配规则详见汇添富官网。中证系列指数由中证指数有限公司（"中证"）编制和计算，其所有权归属中证及／或其指定的第三方。中证对于标的指数的实时性、准确性、完整性和特殊目的的适用性不作任何明示或暗示的担保，不因标的指数的任何延迟、缺失或错误对任何人承担责任。标的指数并不能完全代表整个股票市场。标的指数成份股的平均回报率与整个股票市场的平均回报率可能存在偏离。

以上内容与数据，与有连云立场无关，不构成投资建议。据此操作，风险自担。