长鑫科技子公司公开堆叠芯片相关专利
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企查查APP显示，近日，长鑫科技（688825）全资子公司长鑫存储技术有限公司“半导体结构、堆叠芯片及制作方法”专利获授权。企查查专利摘要显示，半导体结构的制作方法包括：形成第一分体，第一分体包括导电柱；形成第二分体，第二分体包括衬底、贯穿衬底的第一通孔以及设置于衬底上的半导体器件；将导电柱与第一通孔插接，以将第一分体与第二分体连接。通过将第一分体上的导电柱与第二分体上的第一通孔插接实现第一分体和第二分体的连接，导电柱与半导体器件分属于不同的分体上进行制作，从而避免了相互间的干扰和影响，提高了半导体器件的可靠性。
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