碳化硅多场景突破，AI算力爆发催生全新增长极，概念股集体狂欢

  5月14日，碳化硅概念涨幅居前，板块内多只个股涨停。截至收盘，晶升股份（688478.SH）、正帆科技（688596.SH）双双收获20CM涨停，天岳先进（688234.SH）涨15.26%，天富能源（600509.SH）涨10.01%。

  消息面上，投研机构Citrini发布的AI供应链报告显示，碳化硅被列为AI领域被严重忽略的核心主线，市场预期其未来在AI电源和先进封装领域的需求将大幅增长。

  多赛道共振，开启产业新周期

  碳化硅衬底是第三代半导体核心材料，是新能源汽车、光伏储能、AI算力等高端产业的关键基石之一。随着全球能源转型与人工智能算力需求爆发，碳化硅产业竞争已从单点技术突破进入全生态布局的新阶段。

  凭借其高耐压、高频率、低损耗的优异性能，碳化硅正加速渗透新能源汽车的主驱逆变器、车载充电机（OBC）及直流变换器（DC-DC）。机构数据显示，采用碳化硅模块可使电动汽车续航里程提升5%至10%，或降低电池成本。

  中金公司在研报中指出，碳化硅（SiC）材料是第三代化合物半导体的典型代表，特别是在下游需求快速增长的新能源相关应用中，SiC相比Si基材料更具优势。在新能源汽车领域，SiC器件有望解决续航里程短、补能时间长等痛点。在光伏发电领域，SiC器件有望提升逆变器转换效率及使用寿命。

  除新能源汽车、光储充等赛道外，碳化硅在AI数据中心（AIDC）、固态变压器（SST）、AR眼镜/光学领域、先进封装等领域也实现了技术应用的突破。

  AI算力的指数级爆发，正倒逼数据中心进行供电架构的革命性升级。880V高压直流（HVDC）成为行业主流选择，而固态变压器作为核心枢纽，为碳化硅技术带来前所未有的市场机遇。在AR眼镜/光学领域，半绝缘型SiC衬底凭借高折射率、高透光、高热稳等特性，在AR/VR光学领域实现突破性应用，成为消费电子领域新的增长点。

  在先进封装领域，碳化硅的高热导率、高机械强度和良好的电绝缘性，使其成为芯片封装领域的理想材料。在2.5D/3D封装中，碳化硅中介层可替代硅中介层，有效降低芯片运行温度，提升散热性能，同时减少封装尺寸，满足高功耗芯片的散热需求。

  国内企业布局提速，产销与技术双突破

  产业风口下，国内企业加速布局碳化硅领域，在技术研发、产能扩张、市场拓展等方面持续突破，实现产销与技术的全面提升。东方证券分析称，随着英伟达GPU芯片的功率越来越大，将众多芯片集成到硅中介层将导致更高的散热性能要求，而如果采用导热率更好的SiC中介层，其散热片尺寸有望大幅缩小，优化整体封装尺寸。

  基于此，多家上市公司已在挖掘碳化硅在中介层的应用潜力，碳化硅导热性能优异，有望在中介层、散热基板等环节应用，相关厂商有望受益。根据Wolfspeed预测，2026年SiC相关器件市场有望达到89亿美元，衬底市场有望达到17亿美元，合计市场规模超百亿元。

  天岳先进此前在接受调研时表示，随着行业持续向大尺寸升级，8英寸碳化硅衬底产品正进入快速发展的关键阶段，未来有望成为带动行业增长和公司结构升级的核心方向，下游新能源汽车800V高压平台、工业电源、数据中心等场景对大尺寸、高性能碳化硅器件需求持续提升，将推动8英寸产品市场扩容。2025年，该公司碳化硅衬底产量折合达到69.04万片，同比增长68.31%；全年对外销售63.33万片，同比增长75.33%，产销规模稳步提升，产能运营与交付效能保持良好水平。

  三安光电（600703.SH）在2025年年报中指出，8英寸N型SiC晶体低位错生长技术开发已完成并导入量产，实现了8英寸碳化硅长晶良率、晶体内应力及缺陷质量的大幅提升。其产品性能的提升和碳化硅衬底成本的降低，有效增强了产品竞争力。三安光电同时透露，公司在碳化硅领域围绕车规级应用发力，已进入下游客户供应商名录，稳步推进与意法半导体合资的重庆8英寸碳化硅项目，湖南三安的12寸碳化硅衬底已向客户送样验证。

  科创新材（920580.BJ）主营耐火材料等业务，近年来大力拓展碳化硅复合材料业务。该产品主要用于新能源电池材料（如锂电池负极包覆碳化、正极材料焙烧），且公司表示未来有望向半导体封装材料等高端领域延伸。2026年第一季度，该公司业绩表现亮眼，实现营收2902.56万元，同比增长70.51%；归母净利润523.31万元，同比增长132.77%。