脑虎科技携手中科院理化所、上海微系统所攻克长效神经融合界面

  近日，脑虎科技联合中国科学院理化技术研究所生物材料与应用技术研究中心张维研究员团队、首都医科大学北京天坛医院孟凡刚团队、中国科学院上海微系统与信息技术研究所孙鎏炀团队，在长效神经融合脑机界面领域取得里程碑式突破。  

  

•   超长期稳定记录，有效通道零衰减：普通裸电极在植入90天后通道大幅衰减，300 天时已几乎无法捕捉单神经元放电信号；而改性电极在植入满300天后，有效工作通道无衰减，神经元动作电位幅值持续稳定在155μV以上。  
•   神经调控综合效率提升50 倍：在神经刺激调控层面，植入300天后，裸电极需100μA 大电流才能诱发微弱肢体运动，而改性电极仅需2μA极微弱电流即可触发明显运动反馈，大幅降低了长期神经调控的功耗与组织刺激损伤风险。  
•   电极实现无损安全取出：取出实验证实，该涂层有效阻断了电极与脑组织的不可逆生物粘连，电极可完整、顺畅地安全取出，未造成脑组织机械撕裂损伤，为未来植入式设备的无损更换提供了充分的临床安全性保障。  
•   破解电极周围“神经元荒漠”难题：免疫荧光染色显示，改性电极周边的反应性星形胶质细胞和巨噬细胞密度仅为裸电极组的约1/5；电极周边500μm范围内的神经元密度与健康脑组织无异，解决了传统电极周围因炎症导致的“神经元荒漠”困境。  

  

•   普通裸电极：会持续激活脑组织全谱炎症信号通路，并显著抑制突触传递与神经元离子通道通路，呈现出促炎损伤型分子特征；  
•   交替肽修饰界面：能够强效抑制补体级联反应与TLR等核心促炎通路，促进神经递质释放、维持钠钾离子通道及突触可塑性相关基因的正常表达，成功将宿主组织对植入物的排斥反应重塑为良性修复的稳态微环境，从分子机理解释了其实现长期高信噪比记录与超低调控阈值的根本原因。