三星公布下一代存储器战略：HBM5性能目标提升至HBM4E两倍

来源：环球市场播报

　　三星电子计划将下一代高带宽存储器（HBM）HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，而后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍。三星将以3D结构创新为核心，争夺下一代存储器市场的主导权。

　　三星电子DS部门存储器事业部产品企划团队负责人崔长锡1日公布了三星下一代存储器战略。

　　三星电子目前正在开发HBM5，目标是相比HBM4E将性能提升2倍、每瓦性能提升20%，同时将热阻降低20%，以满足AI芯片对高性能和低功耗的需求。

　　面向HBM5之后的zHBM，三星计划进一步提升性能。三星提出的目标是，zHBM相比HBM4E性能提升8倍、每瓦性能提升3倍，同时将热阻降低75%至90%。

　　针对大语言模型（LLM）所需的大容量存储器需求，三星还在推进zNAND-O的开发。zNAND-O的目标是在比特密度达到DRAM 10倍的同时，将读取带宽和能效分别提升至NAND的7倍。三星计划于2028年开始zNAND-O的样品供应。

　　三星电子将上述下一代存储器技术开发方向具体概括为“CUBE”战略。

　　CUBE分别代表Capacity（容量）、Utilization（利用率/优化）、Bandwidth（带宽）和Efficiency（功耗与热效率）。其核心并非单纯进行存储器垂直堆叠，而是利用3D结构，同时提升容量、带宽以及功耗和热效率。

　　三星电子计划从通用DRAM、NAND，到HBM、企业级SSD，再到下一代zHBM和zNAND-O，扩大产品阵容，进一步强化其在AI存储器市场的主导地位。

　　崔长锡表示：“3D技术的最终目标，是降低移动单个比特数据所需的能量。”他强调，三星正在通过提高结构效率，最大限度提升每瓦性能。