半导体设备龙头业绩连增，多项核心技术达到国际领先水平

  拓荆科技专注于半导体薄膜沉积设备产品系列、应用于晶圆级三维集成领域的混合键合（HybridBonding）设备产品系列，产品广泛逻辑芯片、存储芯片、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等领域，是国内半导体薄膜沉积设备领域的重要参与者。

  作为国内半导体设备的龙头企业之一，拓荆科技业绩自2021年以来飞速发展，最近五年收入、归母净利润复合增长率分别约为71%、92%，2026上半年业绩保持快速增长势头，扣非净利润同比增速约8.62倍。

  业绩连增，上半年净利狂飙

  2010年4月，拓荆科技在辽宁省沈阳市成立，2021年1月完成股份制改革，2022年4月登陆上交所科创板，公司自成立以来一直专注于半导体薄膜沉积设备业务，推出了PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备产品，同时，还积极布局并成功进军高端半导体设备的前沿技术领域，推出了应用于晶圆级三维集成领域的混合键合（HybridBonding）设备产品系列，包括晶圆对晶圆混合键合、晶圆对晶圆熔融键合、芯片对晶圆混合键合等产品，公司产品已广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。

  半导体行业前景光明。随着半导体技术持续迭代、工艺制程不断提升，半导体元器件加速向精密化、微小化方向发展，芯片结构也逐步向三维集成方向转型，这对芯片制造工艺技术提出了更高要求，因此，对半导体设备的精密控制、集成度与稳定性要求更为严苛，同时，设备的细分种类与技术壁垒也在持续攀升。

  根据SEMI统计，2025年全球半导体制造设备总销售额达1,347亿美元，同比增长15%，创历史新高，2026年至2028年有望继续攀升至1,659亿美元、2,012亿美元和2,295亿美元。

  作为全球最大的半导体芯片的需求市场，中国也为半导体设备带来了广阔的市场空间，中国大陆半导体设备销售额从2021年的296亿美元一路上升至2025年的493亿美元，2025年占当年全球半导体制造设备销售额约37%，另外，中国大陆自2020年起连续稳居全球半导体设备最大市场，预计2028年前继续维持领先地位。

  拓荆科技所聚焦的薄膜沉积设备是前道芯片制造的三大核心装备之一，根据SEMI统计，2025年全球半导体芯片制造设备销售额约1,169亿美元，同比增长约12%，占全球半导体设备销售额的比例约86%，2026年至2028年预计继续保持增长趋势，将达到约1,439亿美元、1,753亿美元和2,000亿美元。薄膜沉积设备市场规模约占芯片制造设备市场的22%，由此推算，2026年全球薄膜沉积设备市场规模约为317亿美元。

  另外，公司所聚焦的三维集成设备行业前景同样光明，据Yole统计，全球先进封装市场中2.5D封装和3D封装市场规模预计从2023年的43亿美元快速增至2029年的280亿美元，年复合增长率达37%。

  业绩连增，上半年净利狂飙。2021年至2025年，拓荆科技业绩连增，实现营业收入分别为7.58亿元、17.06亿元、27.05亿元、41.03亿元、65.19亿元，年复合增长率约71%，归母净利润分别为6848.65万元、3.68亿元、6.63亿元、6.88亿元、9.27亿元，年复合增长率约92%。

  今年上半年，公司实现营业收入、归母净利润分别为29.13亿元、13.43亿元，同比分别增长49.06%、1324.1%，PECVD系列设备产品、ALD系列设备产品不断扩大量产规模是收入大幅增长的关键。

  收入大增的同时，生产规模效应逐步释放，叠加新产品、新工艺设备已实现量产应用，有效降低了产品单位生产成本，提高了毛利率，同时业务规模化带动期间费用率同比下降进一步释放利润空间，更为重要的是，交易性金融资产产生的公允价值变动收益较上年同期增加约9.60亿元。

  投资恒运昌获巨额浮盈。上半年，拓荆科技非经常性损益项目收益高达9.75亿元，其中，金融资产和金融负债产生的公允价值变动损益以及处置金融资产和金融负债产生的损益为9.83亿元，进一步来看，期末交易性金融资产为22.26亿元，较上年末大幅增加13.36亿元，增幅高达150.24%，主要为对外投资产生的公允价值变动收益增加所致。

  公司共投资了4家上市公司，包括珂玛科技、先锋精科、恒运昌、以及托伦斯，其中恒运昌期初账面价值仅1.13亿元，报告期公允价值变动收益高达9.02亿元，期末账面价值高达10.55亿元，通俗地讲就是投资该股票获得巨额浮盈。

  当然，拓荆科技主营业务盈利情况同样增长迅猛，上半年扣非净利润高达3.67亿元，同比猛增861.92%，显然业务规模和收入快速扩大，叠加毛利率上升，提高了产品盈利水平，提升了主营利润。

  强研发，多项核心技术达到国际领先水平

  拓荆科技是高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业，还多次获得中国半导体行业协会授予的“中国半导体设备五强企业”称号，这与公司成立以来坚持自主研发、自主创新，研发费用屡创新高息息相关。

  强研发，研发团队占比超四成。2021年至2025年，拓荆科技研发费用连增，分别为2.88亿元、3.79亿元、5.76亿元、7.56亿元、7.7亿元，研发费用率随着收入迅速增长而有所下滑，分别为38.04%、22.21%、21.29%、18.42%、11.81%。

  今年上半年研发费用为3.44亿元，同比增长14.29%，研发费用率11.8%，与上年末基本持平，职工薪酬是研发费用重头支出，中报金额为1.55亿元，占比44.99%。

  截至期末，拓荆科技研发人员规模达856人，占员工总数的41.78%，形成覆盖半导体设备研发全环节的学科布局，团队成员兼具扎实的专业知识储备与丰富的产线验证经验，在技术研发、工艺优化等环节分工明确、协同高效，保障成熟产品稳定迭代与先进产品的前瞻性技术研发。

  另外，公司构建了完善的人才引进和培养体系，一方面通过长效股权激励机制、市场化薪酬福利与清晰的职业发展路径，持续吸引行业内的资深人才；另一方面，公司高度重视本土科研团队自主培养，伴随PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD、三维集成设备等核心产品从研发到量产的全周期历练，本土团队已成长为技术攻坚的中坚力量。

  优秀研发团队的另一面，拓荆科技取得丰硕的研发成果，截至期末累计申请专利2,245项（含PCT）、获得授权专利791项，报告期新增申请专利105项（含PCT）、新增获得专利87项。

  国际巨头高度垄断。拓荆科技始终专注于高端半导体设备的研发，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，其中先进薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术、半导体制造系统高产能平台技术、等离子体稳定控制技术、反应腔腔内关键件设计技术、半导体沉积设备气体输运控制系统、气体高速转换系统设计技术、反应腔温度控制技术、载片与器件晶圆高速高精度对准技术、晶圆级混合键合实时对准技术、芯片拾取与键合技术、晶圆激光剥离技术等达到国际先进水平。

  相关核心技术广泛应用于主营业务产品中，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本，是公司核心竞争力。

  即使如此，拓荆科技市占率与国际巨头相比仍然存在较大差距，根据Gartner统计，应用材料（AMAT）、泛林半导体（LamResearch）、东京电子（TEL）三大国际巨头合计占据了全球CVD市场约70%的份额，处于绝对的第一梯队，而在ALD市场，ASMInternational以超过19.4%的全球市占率位居第一，两家中国企业（含拓荆科技）合计市占率仅约4.7%，与国际巨头差异巨大。

  根据SEMI统计，2025年中国大陆薄膜沉积设备市场规模约93亿美元，其中PECVD是薄膜设备中占比最高的设备类型，约占整体薄膜沉积设备市场的33%，ALD设备占比约为11%，而SACVD、HDPCVD、FlowableCVD属于其他薄膜沉积设备类目下的产品，占比约为6%，而拓荆科技相关产品市场份额合计占薄膜沉积设备市场约50%，国内市场规模约为46.5亿美元，其2025年65.19亿元人民币的收入占其可触达国内产品市场的比例约为20%，仍然有进一步提升空间。

  二级市场上，拓荆科技股价自2025年以来呈现大幅上涨态势，在7月达到944.65元/股（前复权，下同）的高点，此后开始下跌，10月20日收盘价为546元/股，跌幅超四成，总市值1595亿元，TTM市盈率73.34倍。

  10月15日，基于对公司未来持续稳定发展的信心和对公司长期价值的认可，为维护公司广大投资者尤其是中小投资者的利益，增强投资者信心，董事长吕光泉提议回购股份，回购金额不低于2亿元，不高于3亿元，拟用于员工股权激励/员工持股计划或减少公司注册资本。

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