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HBM:规模飞速增长!国内玩家身在何处?

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浩海投研浩海投研 2025-04-16 15:31:43 1318
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  作者/星空下的烤包子

  编辑/菠菜的星空

  排版/星空下的绿豆汤

  最近一段时间,有一个赛道的产品迎来了涨价潮,引来了众多投资者的关注,那就是存储芯片。

  数据最能说明一切,据集邦咨询预计,今年第二季度NAND Flash(闪存存储器)价格将比第一季度上涨0%至5%,3D NAND Wafers(多层垂直堆叠闪存晶圆)价格将环比上涨10%至15%。其中,闪迪之前已率先宣布从4月1日起对旗下产品实施超过10%的涨价。

  一般来说,产品价格的上涨意味着行业景气度的提升。去年全球存储市场规模已经突破了1600亿美元,创下了历史新高,而今年在AI服务器部署加快,以及消费电子增长等多重因素推动下,投资者们对这个领域更是充满了期待。

  而在存储芯片这个领域,HBM(高带宽存储器)作为一种基于3D堆栈工艺的高性能半导体存储器,本质上可以把多块DRAM堆叠起来后与GPU芯片封装在一起,从而实现高带宽和高能效,被产业玩家视为存储领域的一次革命。

  

  HBM结构示意图(来源:海力士)

  那么,HBM目前产业供需关系如何?国内玩家能否在这个领域取得突破呢?笔者今天带你来一探究竟。

  

  一、三巨头垄断

  据笔者观察,HBM的发展阶段,正处于从1到10的拐点上。

  仅从当前的HBM市场规模来看,其去年的市场规模大约有150亿美元,规模不大,但是在AI的驱动下,其最近几年的增速还是非常值得期待的。据中信建投证券测算,2026年HBM市场将增长到242亿美元,最近四年的年均复合增长率将突破80%。

  

  存储市场结构(来源:Yole)

  而HBM这个市场又是高度集中的,几乎被SK海力士、三星、美光三家企业垄断。而且三位玩家还在这个领域疯狂加码。比如SK海力士表示,公司2025年HBM产能已售罄,预计今年HBM产品将占公司存储芯片总销售额50%以上。

  在技术迭代方面,SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4,并在全球首次向主要客户提供其样品。要知道,HBM3还是去年市场主流产品,SK海力士市占率超过90%,而今年又推陈出新。可以说海力士在技术创新这个领域“卷”出了新高度。

  无独有偶,三星电子正在进行HBM3E 8层和12层产品的资格认证测试,其计划在今年上半年供应12层产品。

  其实,不光是SK海力士,其他玩家也通过布局HBM领域,获得了实在的业绩增长。就比如美光的HBM3E堆栈被应用于英伟达的GB200系统中。公司2025财年第二季度营业收入增长了38%,净利润则直接实现了翻倍。

  根据分析师估算,美光在第二财季的HBM内存销售额为11.4亿美元,环比增长52%,同比增长19倍。

  

  二、每个环节,都不可或缺

  如果我们把HBM的产业链拆开,你会发现不同环节的玩家各司其职。

  上游设备商主要提供生产HBM所需的原材料和设备,如硅晶圆、光刻机、刻蚀机等,而中游玩家负责将原材料加工成HBM芯片(一般包括晶圆制造、切割、封装等环节)。下游则是HBM芯片的主要应用领域。

  

  HBM产业链(来源:智研咨询)

  在上游领域,有部分国内玩家选择融入全球HBM产业链,成为上游供应链的一员,成员主要包括做材料、代销和封测的企业。比如雅克科技(002409)作为HBM芯片生产的关键材料供应商,提供半导体前驱体材。去年营业收入和净利润分别同比增长了41%和55%。

  据笔者了解,以中游环节为例,HBM制造主要包括TSV(硅通孔)、micro bumping(微凸点制作)和堆叠键合三个环节,核心壁垒在于晶圆级先进封装工艺。

  假如HBM毛利率为50%左右,去年HBM生产各环节合计市场空间突破了90亿美元,还是HBM产业链中最重要的环节。

  

  三、国内玩家,一刻不停

  在HBM生产制造这个环节,客观地讲,目前国内受制于DRAM和先进封装量产工艺,国内玩家尚无大规模HBM量产的产品,仍主要处于研发阶段。就以先进封装工艺为例,武汉新芯的三维集成工艺涉及了上述HBM生产的核心三大工艺,但目前国内没有HBM的量产经验。

  在当前中美贸易摩擦不断升级的背景下,尽管HBM国产化率几乎为0,虽然美国对中国HBM芯片及制造设备的制裁还未正式出台,但是国内玩家仍然需要在这个领域进行大规模投入,防止哪一天真的被“卡脖子”。

  而从当前的情况来看,虽然HBM行业门槛极高(要求企业能做出一流的DRAM,在此基数上再做3D堆叠),已经有一些玩家取得了一定的进展。

  国内玩家目前也将攻克重点放在了HBM2上。比如通富微电(002156)近期已经开始试产HBM2,并提供给特定客户,也已经开始向一些客户提供HBM2内存测试包。除此之外,长鑫存储实现了HBM2内存的客户送样测试,预计今年年内可以实现小规模量产。

  

  通富微电股价情况(来源:百度)

  但是进入了HBM3阶段,国内玩家相较于国外龙头的差距还是不小的,需要更多的时间去实现自主突破。虽然长鑫存储计划在2026年量产HBM3,随后于2027年生产HBM3E,但具体能否实现,还需要时间去进一步检验。

  但是梦想还是要有的,万一哪一天实现了呢?

  

  注:本文不构成任何投资建议。股市有风险,入市需谨慎。没有买卖就没有伤害。

  

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