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价格触底!国产反超!碳化硅,正站在新一轮周期的起点上

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浩海投研浩海投研 2026-05-15 18:23:35 0
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  作者/星空下的烤

  编辑/菠菜的星空

  排版/星空下的乌梅

  2025年对于#碳化硅 行业来说,可谓是一锅热辣滚烫的"火锅"——国内百余家品牌公司与海外十余家头部企业同台竞技,争抢这块价值约35亿美元的"肥肉"。然而谁也没想到,这场盛宴来得热烈,价格战打得更加激烈。

  就在最近,一则关于三星重启碳化硅半导体业务的消息引发了业内广泛关注。据韩媒报道,三星已正式重启SiC业务,计划于2026年推出首款面向车规与工业应用的SiC MOSFET样品,并将在2028年实现8英寸SiC晶圆量产。与此同时,曾经的行业巨头Wolfspeed却陷入了破产重组的困境,昔日的"霸主"与今日的"挑战者"形成鲜明对比。

  这一进一退之间,碳化硅行业的变局已经拉开大幕。

  

天岳先进股价变化(来源:百度)

  那么,经历了价格"雪崩"的碳化硅,如今走到了哪一步?国产玩家能否抓住这波国产替代的黄金机遇?笔者今天就带你来一探究竟。

  

  一、冰火两重天:价格战的"囚徒困境"

  碳化硅作为第三代半导体的核心代表,凭借其高达硅10倍的击穿电场强度和2倍的热导率,在高压、高频、高温场景中展现出压倒性优势,正逐步成为支撑能源革命与算力革命的关键基础材料。

  全球碳化硅功率器件市场规模预计从2025年的34亿美元增长至2030年的近100亿美元,年复合增长率高达20.3%。

  

Si和主要宽带隙半导体的物理特性(东芝官网)

  蛋糕在变大,争夺也愈发激烈。

  进入2025年,碳化硅市场价格迎来了一轮"雪崩式"下跌。市场研究机构数据显示,2025年第一季度,6英寸SiC衬底平均价格较去年同期下降40%,从年初的4000—4500元/片降至2500—2800元/片,已逼近部分企业成本线。

  究其原因,供需失衡是价格暴跌的"罪魁祸首"。全球碳化硅衬底年产能预计达400万片,而同期市场需求仅约250万片,供需失衡导致价格大幅下滑。有业内人士调侃道,长三角几乎每个县都有一条SiC产线。

  这种"劣币驱逐良币"的囚徒困境,让行业陷入"杀敌一千,自损八百"的尴尬境地。国内衬底企业2023—2025三年营收总变化反而下降超过10%,产业链企业利润几乎全体为负。

  但曙光似乎已经出现。

  业内人士普遍判断,6英寸碳化硅衬底价格已基本触底,预计后续价格将相对平稳。行业产能结构正不断优化,下游去库存周期逐步推进,价格体系有望逐步回归理性与稳定。

  

  二、国产突围:从"跟跑"到"领跑"的关键跨越

  此消彼长之间,国产玩家的异军突起成为碳化硅行业最亮眼的底色。

  根据专业机构最新测算,中国企业在全球导电型碳化硅衬底领域实现历史性突破,以27.6% 的市场份额登顶全球首位。其中,8英寸产品市场份额高达51.3%,稳居全球首位并持续扩大领先优势。而法国权威机构Yole的最新数据显示,天岳先进在全球8英寸碳化硅衬底市场的占有率已达到60%

  

碳化硅衬底市场集中度(2024年)

  从稳居全球前三,到2024年跃居第二,再到2025年全面领跑,天岳先进用三年时间完成了从"跟跑"到"领跑"的关键跨越。

  从实际产能来看,2025年天岳先进碳化硅产品折合产量达69.04万片,同比增长68.31%,全年对外销售63.33万片,同比增长75.33%。公司更于2025年成功登陆港交所,成为碳化硅衬底领域唯一的"A+H"两地上市企业。

  

天岳先进净利润变化

  在更广阔的国产替代维度上,一组数据更能说明问题:国产衬底全球出货量占比历史性突破50%,首次反超海外巨头;新能源主驱逆变器使用的主驱芯片国产化率正式进入两位数占比;国产FAB企业晶圆三年产出量暴涨超过200%,器件端营收同比增长超过50%,碳化硅模组国产化率超过60%

  与此同时,国内厂商在8英寸大尺寸赛道上也在加速布局。于2026年1月在厦门举行了8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式,一期达产后可年产42万片8英寸SiC芯片,两期全部达产后总产能将提升至72万片/年。

  

  三、以AI为翼:碳化硅的新增长曲线

  如果说新能源汽车是碳化硅过去几年最大的增长引擎,那么AI和数据中心正在成为它的"第二增长曲线"。

  

碳化硅产业链情况(来源:金元证券)

  在新能源汽车领域,800V高压平台已在2025年达到11.17%的渗透率,SiC MOSFET应用于主驱逆变器、DC-DC转换器等核心部件,可使整车能耗降低8%-10%,预计2030年全球新能源车领域SiC衬底需求将达432万片,年复合增长率约36.7%。

  但AI领域的爆发潜力更为惊人。随着AI芯片功耗突破1000W风冷散热极限,英伟达计划在Rubin平台导入碳化硅中介层以破解热管理难题。据测算,2030年全球AI芯片中介层所需衬底需求约620万片,中国173万片;若CoWoS工艺中基板和热沉材料也采用SiC,则AI芯片散热领域衬底空间将增加2倍。

  所谓危机之中孕育机遇。碳化硅行业虽然经历了价格暴跌的"冰河期",但随着下游新能源汽车800V平台加速普及、AI算力需求井喷式爆发、AR眼镜等新兴终端市场悄然铺开,行业正迎来新一轮周期上行的起点。

  从上游衬底厂商天岳先进,到IDM龙头士兰微,再到晶圆制造端的,国产玩家已在大尺寸、高效率、低成本的技术路径上加速突围。谁能在8英寸向12英寸迭代的浪潮中抢占先机,谁就能掌握未来功率半导体市场的主动权

  在价格已经触底、需求正在放量的当下,碳化硅的"黄金时代",或许才刚刚开始。

  

  注:本文不构成任何投资建议。股市有风险,入市需谨慎。没有买卖就没有伤害。

  

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