中国4年能做出先进光刻机，黄仁勋的预测为何这么乐观？

  邱 林

  近期，英伟达创始人黄仁勋和有着“科技狂人”之称的马斯克预计2030年中国能做出先进光刻系统，然后开始大规模应用。虽然中国无法获得EUV光刻机，但仍可以通过增加DUV光刻机多重曝光的次数来制造先进芯片。换句话说，既然无法继续从荷兰进口EUV光刻机，中国实际上只剩下一条路——自己制造最先进的光刻机。

  据网易财经10月1日消息，最新出版的《电子工程专辑》透露，英伟达创始人黄仁勋在近日召开的All-In峰会上表示，中国自主技术到2030年就能做出自己的先进光刻系统，一旦技术成熟，依靠中国企业强大的规模化生产能力，国产设备进入商业化层面只是时间问题。

  值得注意的是，黄仁勋所说的“先进”，更多指浸没式DUV加多重曝光这套组合拳。中国在浸润式DUV上已经有了进展：上海爱生娜电子整合了上海微电子和华为系团队，2026年7月启动量产，今年计划出货5台，明年冲到20台，客户对准中芯国际、长鑫存储。

  黄仁勋自己就是做芯片的，他太清楚光刻机这东西难在哪，也太清楚中国人一旦认真起来有多可怕。他在多个场合说过，中国顶尖工程师擅长用系统级方案绕开单点短板，比如华为的逻辑折叠技术、英伟达自己的cuLitho计算光刻平台——用GPU算力模拟光刻衍射，相当于给光学短板装上“AI修图”。

  与此同时，国产浸润式DUV光刻机完成整机制造并进入测试阶段的消息，也在印证着黄仁勋的判断不是空穴来风。光刻机从来不是一个子系统的事情，它考验的是激发光源、曝光系统、双工件台等一整套供应链的协同作战能力。也就是说，国产设备的整体突破，从系统工程的视角看，就是中国科技产业在外部压力下最硬核的回答。

  但客观地说，中国要在4年内搞定ASML那种EUV极紫外光刻机，确实太乐观了。德国蔡司半导体公司负责人就提出了不同意见，他认为，中国想要做出国产EUV光刻机，可能还需要约15年时间。瑞银的报告也认为中国EUV专利水平只相当于ASML 2004年量产前夜，差距在10年以上。

  的确，蔡司负责人所说的15 年与黄仁勋所说的4年，时间悬殊不少。ASML最复杂的设备包含超过10万个零部件，供应商达到约2000家，蔡司等企业长期参与其中。如果说中国企业已经完全解决先进光刻机问题，并不符合现状，最先进的EUV光刻设备依然代表着全球半导体制造领域最高的一批工业门槛，ASML在这个领域仍然具有极强的技术优势。

  然而，这个差距反而让中国企业更加踏实，说明中国企业没有飘，中国业界对半导体突破一项技术的难度有清醒的认识。快一点慢一点不重要，重要的是方向对了，路就不会白走。因为，真正理解光刻机，不能把它想成一台特别高级的机器，它更像是欧洲、日本、美国等多个工业体系几十年技术积累压缩出来的一套超级工程。

  早在2024年，工信部公布的目录就收录了国产193纳米氟化氩光刻机，标志着这款装备成为国内取得重大技术突破的首台套装备。进入2026年，产业化信号愈发清晰，国内企业完成i线光刻机全系统技术突破并交付首台验证样机，国产扫描式光刻机也出现在公开招标的中标名单之中。

  中国半导体产业从来不是一条腿在走路DUV和EUV的传统路线在推进，先进封装、逻辑堆叠、混合键合等创新路线也在同步发力。不管是4年还是15年，只要搞出来就行了。涉及国内一些产业基本上28纳米就满足了，手机现在7纳米基本上可以满足用途。

  关键是，中国有全球最庞大的理工科工程师群体、最完整的工业门类，以及最大的晶圆制造市场。当一种设备被逼入绝境，相信中国顶尖工程师就不再追求物理路径的最优雅，而是追求工程路径的能跑通。技术从单点精密的艺术品，变成规模化生产的工业品，历史上这种事情发生过很多次。