国诚投顾：CoPoS突破先进封装横向发展极限

  行业要闻：

  我们看好CoPoS与玻璃基板将成为下一代先进封装方案，据外媒The Elec报道，近期苹果内部开始测试三星提供的玻璃基板用于AI封装，台积电在26Q1法说会正式明确CoPoS进展，据Trendforce信息，台积电计划在台南嘉义建立首条CoPoS试点产线，并于2月份正式向团队交付设备，计划6月份完成整条产线建设。台积电已于2025年顺利完成CPO技术前期验证和技术储备，最快于2026年迎来量产，建议关注TGV等相关工艺环节设备公司发展机遇。

  大尺寸封装和高速率光引擎推动玻璃基板加速落地

  台积电4月22日于圣何塞论坛披露先进封装路线图：为满足英伟达、谷歌、AMD等大芯片需求，计划将其封装面积从24年的3.3x Reticle、2026年的5.5x Reticle和27年的9.5x Reticle分别提升至2028-2029年的14x倍Reticle，同时为突破CoWoS面积受限、成本高、翘曲大瓶颈，拟用方形玻璃基板替代圆形硅中介层，即CoPoS封装。随着数据中心迈向十万卡互联，CPO方案通过混合键合整合EIC/PIC模块，解决传统光模块高功耗、低带宽等痛点，借共封装将电信号缩至毫米级，而玻璃基板凭借高频信号低损耗、高TGV通孔密度、光电兼容、热稳定性高等优势成为替代有机基板的主流优选方案，我们看好玻璃基板成为1.6T及以上主流CPO核心载体。

  TGV和RDL是CoPoS工艺关键，帮玻璃基板“打通神经”

  CoPoS 需要全新设备、新型物料处理方式与全新良率积累过程。CoPoS工艺本质上是CoWoS技术的"面板化"延伸演进，TGV（玻璃通孔）通过改性、刻蚀、清洗、双面电镀、退火、CMP、PVD镀膜、光刻、重布线RDL、检量测等工艺实现在玻璃基板上制作垂直导电通孔，从而实现不同层面间的电气相连。此外重布线层（RDL）从单层进化到多层，金属层数翻倍，铜凸点间距缩小至5 μm，拉动直写光刻、刻蚀、薄膜、电镀等设备用量，同时工艺流程增加对AOI检测等测试设备需。

  预期差：CoPoS等玻璃基板需求空间与落地节奏或好于市场预期

  市场主要关注CoPoS封装即玻璃基板在中介层替代上的落地进展，但我们认为玻璃基板凭借低信号损耗、高密度互联以及减缓翘曲问题的优势在IC载板以及CPO载板材料应用上均具备较大落地空间，TGV与RDL制造设备等相关产业链环节需求空间或高于市场预期，且市场主要考虑到CoWoS的中介层面积焦虑部分被进一步提高的CoWoS reticle size上限所缓解，故认为玻璃基板将伴随CoPoS的量产在2028年及以后落地，但我们认为在IC载板替代和CPO载板等新兴应用上的进展或将加速玻璃基板应用落地快于市场预期。

  投资观点：

  CoPoS技术可能重塑价值链分布，关注核心设备和材料新机遇

  CoPoS技术可能重塑价值链分布，传统OSAT厂商需要向上游材料领域延伸，而面板制造商则可能向下游封装业务拓展。CoPoS工艺从底层材料（玻璃基替代硅中阶层）到加工设备（超快激光打孔、电镀、检量测等）实现对TSV技术的全面替代，带来相关材料及相关设备的增量需求。

  参考来源：2026-05-07 华泰证券 郭龙飞 吕兰兰 汤仕翯 化圆为方：CoPoS突破先进封装横向发展极限

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